SK hynix فناوری خنک‌کننده جدیدی برای حافظه‌های HBM توسعه می‌دهد

شرکت SK hynix مذاکرات خود را برای تولید انبوه حافظه‌های نسل جدید iHBM آغاز کرده است که با فناوری خنک‌کننده یکپارچه، مقاومت حرارتی را تا ۳۰ درصد کاهش می‌دهند.

شرکت کره‌ای SK hynix که از XNET تولید حافظه‌های با پهنای باند بالا (HBM) محسوب می‌شود، درحال رایزنی با شرکای زنجیره تأمین برای تجاری‌سازی فناوری جدید iHBM است. این فناوری با ادغام عناصر خنک‌کننده در ساختار داخلی تراشه، محدودیت‌های حرارتی حافظه‌های چندلایه را کاهش می‌دهد و می‌تواند در نسل آینده حافظه‌های HBM5 مورد استفاده قرار گیرد.

حافظه‌های HBMاز چندین لایه تراشه DRAM تشکیل شده‌اند که به‌صورت عمودی روی یکدیگر قرار می‌گیرند. این طراحی با وجود مزایای فراوان، دفع حرارت را دشوار می‌کند. در ساختار متداول، تجهیزات خنک‌کننده عمدتاً در قسمت بالایی مجموعه تراشه‌ها قرار دارند و گرمای تولیدشده در لایه‌های میانی به‌سختی به بیرون منتقل می‌شود.

شرکت SK hynixبرای برطرف کردن این مشکل، فناوری iHBM را توسعه داده است که عناصر خنک‌کننده را مستقیماً در بسته‌بندی حافظه جای می‌دهد. این رویکرد می‌تواند انتقال حرارت را بهبود ببخشد و محدودیت‌های ناشی از افزایش تراکم تراشه‌ها را کاهش دهد.

آغاز مذاکرات برای تولید انبوه حافظه‌هایiHBM

رسانه کره‌ای ETNews گزارش داده است که SK hynix مذاکراتی را با تأمین‌کنندگان داخلی و خارجی مواد اولیه و تجهیزات تولید آغاز کرده است. محور اصلی این مذاکرات، بررسی امکان تولید انبوه و تجاری‌سازی حافظه‌های iHBM و استفاده از فناوری جدید برای مدیریت بهتر حرارت است.

در ساختار حافظه‌های HBM، لایه‌هایDRAMروی یک تراشه پایه قرار می‌گیرند که به رابط سیلیکونی موسوم به اینترپوزر (Interposer) متصل است. این رابط امکان قرارگیری حافظه در کنار پردازنده گرافیکی را فراهم می‌کند. اینترپوزر نیز به زیرلایه بسته‌بندی متصل می‌شود که ارتباط مجموعه تراشه‌ها با برد مدار چاپی را برقرار می‌سازد.

حرارت تولیدشده در لایه‌های حافظه باید از مسیرهای مختلف به بیرون منتقل شود. در قسمت بالایی بسته‌بندی، صفحات خنک‌کننده و پخش‌کننده‌های حرارت قرار دارند و بخش پایینی نیز در انتقال گرما به سامانه دفع حرارت نقش دارد.

بااین‌حال، تراکم بالای لایه‌ها باعث می‌شود بخشی از حرارت در قسمت میانی مجموعه محبوس شود. این مسئله یکی از چالش‌های اصلی طراحی حافظه‌های HBM به شمار می‌رود.

منابع صنعتی به ETNews گفته‌اند که SK hynix اکنون علاوه بر توسعه فناوری، امکان ایجاد زیرساخت تولید و تأمین تجهیزات موردنیاز برای عرضه تجاری iHBM را بررسی می‌کند.

کاهش ۳۰ درصدی مقاومت حرارتی و برنامه استفاده در HBM5

مهم‌ترین نوآوری حافظه‌های iHBM، استفاده از عناصر خنک‌کننده یکپارچه موسوم به ICE است. این عناصر در لایه فیزیکی ارتباط میان تراشه‌ها، با نام D2D PHY، قرار می‌گیرند و انتقال حرارت را در ساختار چندلایه حافظه بهبود می‌بخشند.

طبق گزارشWccftechشرکت SK hynix انتظار دارد این طراحی مقاومت حرارتی را تا ۳۰ درصد کاهش دهد. مقاومت حرارتی کمتر به معنای انتقال آسان‌تر گرما از بخش‌های داخلی تراشه به سامانه خنک‌کننده است. این تغییر می‌تواند به مدیریت بهتر حرارت در حافظه‌های متراکم کمک کند.

برخلاف روش‌های متداول که بیشتر به تجهیزات خنک‌کننده بیرونی وابسته هستند، فناوری ICE عناصر خنک‌کننده را به ساختار داخلی حافظه نزدیک‌تر می‌کند. هدف این طراحی، کاهش تجمع حرارت در لایه‌های میانی است.

شرکت SK hynix درحال‌حاضر بر تولید حافظه‌های HBM4 تمرکز دارد، اما برنامه‌های آینده آن استفاده از فناوری iHBM در نسل بعدی حافظه‌ها، یعنی HBM5، را نیز شامل می‌شود.

منابع ETNews معتقدند فناوری بسته‌بندی MR-MUF که پیش‌تر توسط SK hynix توسعه یافته است، در ساخت حافظه‌های iHBM نیز به کار گرفته خواهد شد. استفاده از این روش می‌تواند ایجاد زنجیره تأمین را آسان‌تر کند، زیرا شرکت احتمالاً قادر خواهد بود با تأمین‌کنندگان فعلی خود همکاری کند.

با وجود آغاز مذاکرات تولید انبوه، SK hynix هنوز زمان مشخصی برای تجاری‌سازی یا عرضه حافظه‌های iHBM اعلام نکرده است.

نوشتهSK hynix فناوری خنک‌کننده جدیدی برای حافظه‌های HBM توسعه می‌دهداولین بار درTechnoc. پدیدار شد.

برای ارزیابی پایداری، امنیت و نگهداری این زیرساخت، راهنمای پشتیبانی شبکه را نیز مطالعه کنید.